电磁阀/继电器驱动计算
输入线圈参数，计算MOSFET和续流二极管选型
请输入参数后点击计算
计算公式
I = V / R （欧姆定律）
P = V × I （功率计算）
P_dissipated = I² × R_ds(on) （MOSFET功耗）
📋 设计要点
MOSFET选型要点
- VDSS：漏源击穿电压，建议 ≥ 线圈电压 × 2
- ID：连续漏极电流，建议 ≥ 线圈电流 × 2
- RDS(on)：导通电阻越小越好，减少发热
- VGS(th)：栅极阈值电压，确保与驱动电平兼容
续流二极管选型要点
- VRRM：反向耐压 ≥ 线圈电压
- IF：正向平均电流 ≥ 线圈电流
- trr：反向恢复时间，越快越好（肖特基优选）
- 建议使用1N4007或SR540肖特基二极管